摘要：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor，SiC MOSFET)的栅氧化层可靠性是制约其发展的主要挑战之一，尽管采用最新技术制造的SiC MOSFET的栅氧化层可靠性已经有了很大提升，但相比Si MOSFET来说，SiC MOSFET的SiC/SiO2界面存在更多的界面陷阱和氧化物陷阱，栅氧化层老化现象更加明显，故对SiC MOSFET的栅氧化层状态在线健康监测极其重要。当通过某些温度敏感电参数监测栅氧化层老化时，极易受到器件结温的影响，导致监测结果不准确。因此，本文提出利用栅极电流峰值与结温的关系确定器件实时结温，解耦结温对导通电阻的影响。能够实现在非恒温条件下，使用导通电阻的变化量监测SiC MOSFET的栅氧化层健康状态，判断器件是否失效。本文通过理论分析和实验验证证实了该方法的可行性。
文章目录
1 理论分析
1.1 栅极电流
1.2 导通电阻
2 实验验证
2.1 实验装置
2.2 结温监测
2.3 不同栅极电压下导通电阻的变化
2.4 不同栅极应力后导通电阻的变化
2.5 栅极的健康状态监测
3 结论
