微纳级GaN基VCSEL中周期反射结构与电子阻挡层的设置作用分析

2024-06-21 50 1.9M 0

  摘要:氮化镓(GaN)基微纳米结构生长技术的成熟为微纳级GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的制备提供了新的途径。本文设计了基于GaN基轴向异质结微纳米柱的微纳级VCSEL结构,采用Al0.8Ga0.2N/In0.2Ga0.8N应变补偿结构作为上下分布式布拉格反射镜(DBR),其中Al0.8Ga0.2N层的Al组分远高于传统结构中的电子阻挡层,能够更好地起到电子阻挡的作用。本文使用商用软件PICS3D构建了电子阻挡层(EBL)处于不同位置的VCSEL数理模型,并进行数值模拟计算,探索和分析物理机理,解释了不同位置EBL对空穴注入效率影响。结果表明,采用Al0.8Ga0.2N与In0.2Ga0.8N组成的应变补偿DBR可以更好地提高空穴注入效率,优化器件光电性能。

  文章目录

  0引 言

  1 模拟与计算方法

  2 结果与讨论

  3结论



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