HDPCVD工艺中空洞缺陷和等离子体充电损伤的产生及改进方案

2024-06-22 60 1.1M 0

  摘要:随着CMOS工艺不断缩小,高密度等离子体化学气相沉积技术(HDPCVD)由于其绝佳的间隙填充能力、稳定的淀积质量和可靠的电学性能而被广泛用于包括浅槽隔离(STI)、金属前绝缘层(PMD),金属层间绝缘层(IMD)等介质层填充工艺中。然而,HDPCVD技术本身存在一些固有的制约,包括介质填充中的空洞缺陷和等离子体充电损伤等,限制了HDPCVD技术的进一步发展。本文主要对HDPCVD的两种缺陷的形成机理进行了综述,并总结了通过改变工艺配方和工艺流程来改善两种缺陷的方法,最后对HDPCVD技术进行了总结并提出了展望。

  文章目录

  1 空洞缺陷

  1.1 空洞缺陷的产生

  1.2 空洞缺陷的预防

  2 等离子体充电损伤

  2.1    等离子体充电损伤机制

  2.1.1 电子遮蔽

  2.1.2 光传导机制

  2.2    等离子体充电损伤的改进

  3 总结与展望



您还没有登录,请登录后查看详情

322/1000专辑:论文下载

举报收藏 0打赏 0评论 0
相关资源
本类推荐
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  隐私政策  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  RSS订阅  |  蜀ICP备19012879号