摘要：宽禁带半导体材料因其独特的物理和化学特性，在光电器件等领域展现出巨大的潜力，受到了越来越多的研究和关注。镓酸锌(ZnGa2O4)作为一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、结构独特、热稳定性良好等优点，在日盲紫外光电探测、X射线探测等领域具有广阔的应用前景。本文从ZnGa2O4的基本结构特性出发，详细介绍了ZnGa2O4的禁带宽度、光电性能、ZnGa2O4体块单晶和薄膜的制备方法。结合国内外学者近期的一些研究成果，概述了ZnGa2O4在多个领域的应用前景，特别是日盲紫外光电探测、忆阻器、X射线探测和功率器件等方面的研究进展。最后对ZnGa2O4材料的未来发展方向提出了展望，指出可进一步提升ZnGa2O4材料的质量和性能，以提升器件性能，满足更高级别的应用需求。
文章目录
0 引 言
1 ZnGa2O4的结构与性质
2 ZnGa2O4的制备方法
2.1 ZnGa2O4单晶
2.1.1助熔剂法
2.1.2 垂直梯度凝固法
2.1.3 提拉法
2.2 ZnGa2O4薄膜
2.2.1 金属有机化学气相沉积
2.2.2 脉冲激光沉积
2.2.3 磁控溅射
3 ZnGa2O4的应用研究
3.1 日盲紫外光电探测器
3.2 忆阻器
3.3 X射线探测器
3.4 金属氧化物半导体场效应晶体管
3.5 肖特基势垒二极管
4 结语与展望
